國外名校最新教材精選：半導體器件物理（第3版）簡介，目錄書摘
2019-10-28 15:03
來源：京東
作者：京東
國外名校最新教材精選：半導體器件物理（第3版）
暫無報價
300+評論
97%好評
編輯推薦: 《國外名校最新教材精選：半導體器件物理（第3版）》為工程師、研究人員、科技工作者、高校師生提供了解當今應用中最為重要的半導體器件的基礎知識，對預測未來器件性能和局限性提供了良好的基礎。
內容簡介: 《國外名校最新教材精選：半導體器件物理（第3版）》這本經(jīng)典著作在半導體器件領域已經(jīng)樹立起了先進的學習和參考典范。此書的第3版保留了重要半導體器件的最為詳盡的知識內容，并做了更新和重新組織，反映了當今器件在概念和性能等方面的巨大進展，它可以使讀者快速地了解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點。《半導體器件物理》（第3版）專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：以最新進展進行了全面更新；包括了對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導體傳感器、量子級聯(lián)激光器、單電子晶體管、實空間轉移器件等新型器件的敘述；對內容進行了重新組織和安排；各章后面配備了習題；重新高質量地制作了書中的所有插圖。
作者簡介: 施敏，（S.M.SZE），獲斯坦福大學電氣工程專業(yè)博士學位，1963-1989年在貝爾實驗室工作，1990年起在臺灣新竹交通大學（NCTU）電子工程系任教，施敏博士現(xiàn)在為NCTU的講座教授和斯坦福大學的顧問教授，并擔任多所院校及研究機構的客座教授，他對半導體器件有著基礎性和先驅性的貢獻，特別重要的是他合作發(fā)明了非揮發(fā)存儲器，如閃存和EEPROM。施敏博士已經(jīng)作為作者和合作作者發(fā)表學術論文200余篇、專著12部，他的《半導體器件物理》（Wiley出版）一書是同時代工程和應用科學出版物中被引用最多的著作（由ISI統(tǒng)計，引用超過15000條）。施敏博士獲得過多項獎勵，為IEEE的終身會士、臺灣中央研究院院士和姜國國家工程院院士。伍國玨（KWOKK．NG），1979年獲哥倫比亞大學電氣工程專業(yè)博士學位，1975年獲羅格斯大學電氣工程專業(yè)學士學位。1980年進入位于新澤西州MurrayHill的AT&T貝爾實驗室，1996年作為朗訊科技的一部分剝離出來．后來隸屬于賓夕法尼亞州Allentown的杰爾系統(tǒng)（AgereSystems），2001年作為微電子部獨立出來。2005至2007年期間．他在加利福尼亞州SanJose的MVC和北卡羅萊納州Durham的半導體研究公司工作。伍國玨博士還扭任IEEEEle，ctronicLetters編輯及IEEE出版社的聯(lián)絡員，他是《半導體器件完全指導》（CompleteguidetoSereicondtIClOrDevices）第2版（Wiley出版）的作者。
目錄:
第2部分 器件的基本構件
第3部分 晶體管
第4部分 負阻器件和功率器件
第5部分 光學器件和傳感器
附錄
譯者序
前言
導言
第1部分 半導體物理
第1章 半導體物理學和半導體性質概要
1.1 引言
1.2 晶體結構
1.3 能帶和能隙
1.4 熱平衡時的載流子濃度
1.5 載流子輸運現(xiàn)象
1.6 聲子、光學和熱特性
1.7 異質結和納米結構
1.8 基本方程和實例
第2部分 器件的基本構件
第2章 p-n結二極管
2.1 引言
2.2 耗盡區(qū)
2.3 電流-電壓特性
2.4 結擊穿
2.5 瞬變特性與噪聲
2.6 端功能
2.7 異質結
第3章 金屬-半導體接觸
3.1 引言
3.2 勢壘的形成
3.3 電流輸運過程
3.4 勢壘高度的測量
3.5 器件結構
3.6 歐姆接觸
第4章 金屬-絕緣體-半導體電容
4.1 引言
4.2 理想MIS電容
4.3 硅MOS電容
第3部分 晶體管
第5章 雙極晶體管
5.1 引言
5.2 靜態(tài)特性
5.3 微波特性
5.4 相關器件結構
5.5 異質結雙極晶體管
第6章 MOS場效應晶體管
6.1 引言
6.2 器件的基本特性
6.3 非均勻摻雜和埋溝器件
6.4 器件按比例縮小和短溝道效應
6.5 MOSFET的結構
6.6 電路應用
6.7 非揮發(fā)存儲器
6.8 單電子晶體管
第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
7.1 引言
7.2 JFET和MODFET
7.3 MODFET
第4部分 負阻器件和功率器件
第8章 隧道器件
8.1 引言
8.2 隧道二極管
8.3 相關的隧道器件
8.4 共振遂穿二極管
第9章 碰撞電離雪崩渡越時間二極管
第10章 轉移電子器件和實空間轉移器件
第11章 晶閘管和功率器件
第5部分 光學器件和傳感器
第12章 發(fā)光二極管和半導體激光器
第13章 光電探測器和太陽電池
第14章 傳感器
附錄
A.符號表
B.國際單位制
C.單位詞頭
D.希臘字母表
E.物理常數(shù)
F.重要半導體的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性
京公網(wǎng)安備 11000002000088號
