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內(nèi)容簡介:　　《模擬電路分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（修訂版）》共分9章，主要內(nèi)容為：半導(dǎo)體材料及二極管；雙極型晶體三極管；晶體三極管放大電路基礎(chǔ)；場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路；放大器的頻率響應(yīng)；模擬集成單元電路；負(fù)反饋技術(shù)；集成運(yùn)算放大器；集成運(yùn)放電路的應(yīng)用與設(shè)計(jì)。
　　《模擬電路分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（修訂版）》取材較新、重點(diǎn)突出、循序漸進(jìn)，理論與工程計(jì)算并重，注重基本功能電路的分析和設(shè)計(jì)方法。書中例題豐富，每章末均有小結(jié)，便于自學(xué)。
　　《模擬電路分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（修訂版）》可作為高等院校電氣、電子信息類等專業(yè)電子技術(shù)課程的教材，也可作為從事電子技術(shù)工作的工程技術(shù)人員及電子技術(shù)愛好者的參考書。

作者簡介:

目錄:叢書序
前言

第1章 半導(dǎo)體材料及二極管
1．1 半導(dǎo)體材料及其特性
1．1．1 本征半導(dǎo)體
1．1．2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1．1．3 半導(dǎo)體中的電流
1．2 PN結(jié)
1，2．1 PN結(jié)的形成及特點(diǎn)
1．2．2 PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?
1．3 晶體二極管及其應(yīng)用
1．3．1 晶體二極管的伏安特性
1．3．2 二極管的直流電阻和交流電阻
1．3．3 二極管模型
1．3．4 二極管應(yīng)用電路
1．3．5 穩(wěn)壓管及其應(yīng)用
1．3．6 PN結(jié)電容效應(yīng)及應(yīng)用
1．3．7 特殊二極管
1．4 Multism仿真實(shí)例——半導(dǎo)體二極管伏安特性的研究
1．4．1 創(chuàng)建仿真電路
1．4．2 仿真內(nèi)容
1．4．3 結(jié)論
1．5 小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題一

第2章 雙極型晶體三極管
2．1 BJT工作原理
2．1．1 BJT結(jié)構(gòu)與符號(hào)
2．1．2 放大狀態(tài)下BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程
2．1 -3放大偏置BJT偏壓與電流的關(guān)系
2．2 BJT的靜態(tài)特性曲線
2．2．1 共射輸入特性曲線
2．2．2 共射輸出特性曲線
2．2．3 溫度對(duì)BJT特性及參數(shù)的影響
2．3 BJT主要參數(shù)
2．3．1 直流參數(shù)
2．3．2 交流參數(shù)
2．3．3 極限參數(shù)
2．4 BJT簡化直流模型及工作狀態(tài)分析
2．4．1 BJT的簡化直流模型
2．4．2 BJT工作狀態(tài)分析
2．5 BJT交流小信號(hào)模型
2．6 Multism仿真實(shí)例-BJT輸入、輸出特性曲線研究
2．6．1 創(chuàng)建仿真電路
2．6．2 仿真內(nèi)容
2．6．3 結(jié)論
2．7 小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題二

第3章 BJT放大電路
3．1 放大電路的基本組成和分析方法
3．2 BJT放大偏置電路
3．3 BJT三種基本組態(tài)放大電路交流特性的分析
3．4 多級(jí)放大電路
3．5 Multism仿真實(shí)例一一單級(jí)共射放大電路仿真分析
3．5．1 創(chuàng)建仿真電路
3．5．2 仿真內(nèi)容
3．5．3 結(jié)論
3．6 小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題三

第4章 MOSFET及其放大電路
4．1 N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
4．1．1 結(jié)構(gòu)
4．1．2 工作原理
4．1．3 輸出特性曲線
4．1．4 電流一電壓關(guān)系
4．2 MOSFET的偏置電路
4．2．1 分離MOSFET電路的直流偏置
4．2．2 集成MOSFET電路的直流偏置
4．3 MOSFET的交流小信號(hào)模型
4．3．1 MOSFET的線性化分析原理
4．3．2 MOSFET的線性化模型的交流參數(shù)
4．3．3 MOSFET的交流小信號(hào)線性模型
4．4 MOSFET放大電路的三種基本組態(tài)
4．4．1 共源極放大器
4．4．2 源極跟隨器
4．4．3 共柵極放大器
4．4．4 三種基本放大器組態(tài)的總結(jié)與比較
4．5 單級(jí)集成MOSFET放大器
4．6 MOSFET多級(jí)放大器
4．7 其他類型的場(chǎng)效應(yīng)管
4．7．1 P溝道增強(qiáng)型MOSFET
4．7．2 N溝道耗盡型MOSFET
4．7．3 P溝道耗盡型MOSFET
4．7．4 JEET
4．8 Multism仿真實(shí)例——單級(jí)共源放大電路仿真分析
4．8．1 創(chuàng)建仿真電路
4．8．2 仿真內(nèi)容
4．8．3 結(jié)論
4．9 小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題四

第5章 放大器的頻率響應(yīng)
5．1 放大器的增益函數(shù)與轉(zhuǎn)折頻率
5．2 轉(zhuǎn)折頻率的另一種求法——時(shí)間常數(shù)法
5．2．1 高頻等效電路——開路時(shí)間常數(shù)法求wH
5．2．Z低頻等效電路——短路時(shí)間常數(shù)法求WL
5．3 雙極型晶體管的頻率響應(yīng)
5．3．1 雙極型晶體管的高頻小信號(hào)模型
5．3．2 特征頻率
5．3．3 Miller效應(yīng)和Miller電容
5．4 場(chǎng)效應(yīng)管的頻率響應(yīng)
5．4．1 場(chǎng)效應(yīng)管的高頻小信號(hào)模型
5．4．2 特征頻率
5．4．3 Miller效應(yīng)和Miller電容
5．5 晶體管放大電路的高頻響應(yīng)
5．5．1 共基極放大器的高頻響應(yīng)
5．5．2 射極跟隨器的高頻響應(yīng)
5．6 多級(jí)放大器上、下轉(zhuǎn)折頻率的計(jì)算方法
5．7 Multism仿真實(shí)例——單級(jí)共射放大電路頻率響應(yīng)仿真分析
5．7．1 創(chuàng)建仿真電路
5．7．2 仿真內(nèi)容
5．7．3 結(jié)論
5．8 小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題五

第6章 模擬集成單元電路
6．1 集成電流源
6．1．1 雙極型晶體管電流源
6．1．2 場(chǎng)效應(yīng)管電流源
6．2 有源負(fù)載電路
6．2．1 BJT有源負(fù)載電路
6．2．2 MOSFET有源負(fù)載電路
6．3 差動(dòng)放大器
6．3．1 BJT差動(dòng)放大器的組成原理
……

第7章 負(fù)反饋技術(shù)
第8章 集成運(yùn)算放大器
第9章 集成運(yùn)放電路的應(yīng)用與設(shè)計(jì)

參考文獻(xiàn)