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2020-09-30 15:17 來源：京東作者：京東

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作者簡介:

目錄:縮略語
Part C電子材料
21 單晶硅：電學(xué)與光學(xué)特性
21.1 硅基
21.2 電學(xué)特性
21.3 光學(xué)特性
參考文獻

22 硅-鍺：特性、生長和應(yīng)用
22.1 硅-鍺物理特性
22.2 硅-鍺光學(xué)特性
22.3 硅-鍺生長
22.4 多晶硅-鍺
參考文獻

23 砷化鎵
23.1 GaAs的體生長
23.2 GaAs的外延生長
23.3 GaAs的擴散
23.4 GaAs離子注入
23.5 GaAs晶格缺陷
23.6 GaAs的雜質(zhì)與缺陷分析（化學(xué)）
23.7 GaAs的雜質(zhì)與缺陷分析（電學(xué)）
23.8 GaAs的雜質(zhì)與缺陷分析（光學(xué)）
23.9 復(fù)雜異質(zhì)結(jié)的評估
23.10 GaAs的電接觸
23.11 GaAs器件（微波）
23.12 GaAs器件（電-光）
23.13 GaAs的其他應(yīng)用
23.14 結(jié)論
參考文獻

24 高溫電子材料：碳化硅與金剛石
24.1 材料的特性與制備
24.2 電子器件
24.3 總結(jié)
參考文獻

25 非晶態(tài)半導(dǎo)體：結(jié)構(gòu)、光學(xué)與電學(xué)特性
25.1 電子態(tài)
25.2 結(jié)構(gòu)特性
25.3 光學(xué)特性
25.4 電學(xué)特性
25.5 光誘導(dǎo)現(xiàn)象
25.6 納米非晶態(tài)結(jié)構(gòu)
參考文獻

26 非晶態(tài)與微晶硅
26.1 等離子體SiH4與SiH4/H2的反應(yīng)
26.2 表面薄生長
26.3 a-Si：H與μc-Si：H缺陷密度測定
26.4 器件應(yīng)用
26.5 硅薄膜太陽能電池材料的相關(guān)問題研究進展
26.6 總結(jié)
參考文獻

27 鐵電體材料
27.1 鐵電體材料
27.2 鐵電體材料制備技術(shù)
27.3 鐵電體應(yīng)用
參考文獻

28 微電子電介質(zhì)材料
29 薄膜
30 厚膜

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