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2019-11-15 14:18 來源：京東作者：京東

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內(nèi)容簡介:　　《半導(dǎo)體器件原理與技術(shù)》主要介紹半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、二極管、雙極型晶體管、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、無源器件、器件SPICE模型、半導(dǎo)體工藝技術(shù)、半導(dǎo)體工藝仿真、薄膜制備技術(shù)、半導(dǎo)體封裝技術(shù)和半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試技術(shù)等微電子技術(shù)領(lǐng)域的基本內(nèi)容？這些內(nèi)容為進(jìn)一步掌握新型半導(dǎo)體器件和集成電路分析、設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試的基本理論和方法奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)？《半導(dǎo)體器件原理與技術(shù)》可作為電子信息類電子科學(xué)與技術(shù)、微電子科學(xué)與工程、集成電路與集成系統(tǒng)、光電信息科學(xué)與工程、電子信息工程等專業(yè)的本科學(xué)生和相關(guān)研究生的專業(yè)課程教材？也可作為相近專業(yè)工程技術(shù)人員的自學(xué)和參考用書。

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目錄:第1篇半導(dǎo)體物理及器件

第1章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1．1 半導(dǎo)體材料
1．2 半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
1．3 半導(dǎo)體的缺陷
1．4 半導(dǎo)體的能帶
1．5 費(fèi)米能級(jí)
1．6 半導(dǎo)體的載流子濃度
1．7 半導(dǎo)體的載流子運(yùn)動(dòng)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

第2章二極管
2．1 二極管的基本結(jié)構(gòu)
2．2 pn結(jié)的形成及雜質(zhì)分布
2．3 平衡pn結(jié)
2．4 二極管的偏壓特性
2．5 二極管直流特性的影響因素
2．6 二極管的擊穿特性
2．7 二極管的開關(guān)特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

第3章雙極型晶體管
3．1 雙極型晶體管概述
3．2 雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)
3．3 雙極型晶體管的放大作用
3．4 雙極型晶體管的特性曲線
3．5 反向電流及擊穿電壓特性
3．6 基極電阻
3．7 雙極型晶體管的開關(guān)特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

第4章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
4．1 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和分類
4．2 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓
4．3 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的直流特性
4．4 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的小信號(hào)參數(shù)和頻率特性
4．5 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的二級(jí)效應(yīng)
4．6 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開關(guān)特性
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

第5章無源器件
5．1 概述
5．2 嵌入式無源器件
5．3 集成無源器件
5．4 集成電阻
5．5 集成式電容
5．6 集成式電感
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

第6章器件SPICE模型
6．1 SPICE器件模型概述
6．2 二極管SPICE模型
6．3 雙極型晶體管的SPICE模型
6．4 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管SPICE模型
6．5 無源器件SPICE模型
習(xí)題
參考文獻(xiàn)

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