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2020-01-02 14:49 來(lái)源：京東作者：京東

功率半導(dǎo)體異質(zhì)耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)/“十三五”科學(xué)技術(shù)專(zhuān)著叢書(shū)

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內(nèi)容簡(jiǎn)介:　　《功率半導(dǎo)體異質(zhì)耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)/“十三五”科學(xué)技術(shù)專(zhuān)著叢書(shū)》為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域巾關(guān)于異質(zhì)耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)的學(xué)術(shù)專(zhuān)著?！豆β拾雽?dǎo)體異質(zhì)耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)/“十三五”科學(xué)技術(shù)專(zhuān)著叢書(shū)》第1章首先介紹功率半導(dǎo)體的相關(guān)內(nèi)容，然后在此基礎(chǔ)上介紹橫向功率器件耐壓層、耐壓層的作用基礎(chǔ)與分析方法、耐壓層的特殊性；第2章介紹異質(zhì)耐壓層分類(lèi)和工作機(jī)理；第3章分析ENDIF耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化方法；第4章分析VFP耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化方法；第5章分析HK耐壓層極化電荷場(chǎng)優(yōu)化方法；第6章分析CCLSJ耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化方法；第7章分析GC耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化方法。功率器件中耐壓層結(jié)構(gòu)從耐壓角度上可分為兩大類(lèi)，從而形成耐壓ENDIF和輔助耗盡兩種應(yīng)用需求。
　　《功率半導(dǎo)體異質(zhì)耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)/“十三五”科學(xué)技術(shù)專(zhuān)著叢書(shū)》可供研究功率半導(dǎo)體異質(zhì)耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)的理論工作者，半導(dǎo)體相關(guān)專(zhuān)業(yè)的高校師生，功率器件領(lǐng)域的博士、碩士、本科生，及從事電荷場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)創(chuàng)新活動(dòng)的科技人員閱讀，也可供其他相關(guān)專(zhuān)業(yè)的本科生、研究生和工程技術(shù)人員閱讀參考，還可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)、微電子學(xué)等專(zhuān)業(yè)相關(guān)課程的教學(xué)參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:第1章概述
1．1 功率半導(dǎo)體器件
1．2 橫向功率器件耐壓層
1．3 耐壓層的作用基礎(chǔ)與分析方法
1．3．1 耐壓層的作用基礎(chǔ)
1．3．2 一般分析方法
1．4 耐壓層的特殊性
1．4．1 SOI耐壓層
1．4．2 HK耐壓層
1．4．3 VFP耐壓層
1．4．4 CCL SJ耐壓層
1．4．5 GC耐壓層
參考文獻(xiàn)

第2章異質(zhì)耐壓層
2．1 解析理論
2．2 ENDIF耐壓層
2．2．1 高壓SOI介質(zhì)場(chǎng)增強(qiáng)技術(shù)
2．2．2 介質(zhì)場(chǎng)增強(qiáng)理論
2．2．3 電荷型介質(zhì)場(chǎng)增強(qiáng)技術(shù)
2．2．4 薄硅層介質(zhì)場(chǎng)增強(qiáng)技術(shù)與結(jié)構(gòu)
2．3 HK耐壓層
2．3．1 高K材料
2．3．2 極化電荷自平衡機(jī)理的研究
2．4 VFP耐壓層
2．5 CCL耐壓層
2．6 GC耐壓層
參考文獻(xiàn)

第3章 ENDIF耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化
3．1 電荷型高壓SOI器件設(shè)計(jì)技術(shù)
3．1．1 硅層橫向耐壓電荷型ENDIF
3．1．2 硅層縱向耐壓電荷型ENDIF
3．2 n-反型電荷型高壓SOI器件
3．2．1 SBO高壓PSOI器件
3．2．2 SBO CBL高壓SOI器件
3．3 n-混合電荷型高壓SOI器件
3．3．1 LVD N+I SOI LDMOS結(jié)構(gòu)與機(jī)理
3．3．2 PBN+SOI LDMOS
3．4 電荷型p溝高壓SOI器件
3．4．1 高壓SOI pLDMOS
3．4．2 p-積累電荷型高壓SOI pLDMOS
3．4．3 p-混合電荷型高壓SOI pLDMOS
3．4．4 FBL SOI pLDMOS
3．4．5 NBL PSOI pLDMOS
3．5 電荷型SJ高壓SOI器件
3．5．1 功率超結(jié)器件的發(fā)展
3．5．2 SB SOI SJ pLDMOS
3．5．3 T-DBL SOI SJ nLDMOS
3．5．4 TSL SOI SJ nLDMOS
參考文獻(xiàn)

第4章 VFP耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化
4．1 BDFP-DE LDMOS
4．1．1 引言
4．1．2 結(jié)構(gòu)與機(jī)理
4．1．3 結(jié)果與討論
4．1．4 模型分析
4．1．5 工藝分析
4．1．6 結(jié)論
4．2 VFP SOI LDMOS
4．2．1 引言
4．2．2 結(jié)構(gòu)與機(jī)理
4．2．3 結(jié)果與討論
4．2．4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)

第5章 HK耐壓層極化電荷場(chǎng)優(yōu)化
5．1 體硅高K
5．1．1 HKLR LDMOS
5．1．2 VFP HK LDMOS
5．2 SOI高K
5．2．1 HKHN SOI LDMOS
5．2．2 VK DT SJ LDMOS
5．3 二維勢(shì)場(chǎng)分布模型
5．4 實(shí)驗(yàn)方案
參考文獻(xiàn)

第6章 CCL SJ耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化
6．1 SBP SJ LDMOS
6．1．1 引言
6．1．2 器件結(jié)構(gòu)與機(jī)理
6．1．3 結(jié)果與討論
6．1．4 總結(jié)
6．2 SBOX SJ LDMOS
6．2．1 引言
6．2．2 器件結(jié)構(gòu)與機(jī)理
6．2．3 結(jié)果與討論
6．2．4 結(jié)論
6．3 PLK SJ LDMOS
6．3．1 引言
6．3．2 器件結(jié)構(gòu)與機(jī)理
6．3．3 結(jié)果與討論
6．3．4 結(jié)論
6．4 SOI VK PSJ LDMOS
6．4．1 引言
6．4．2 器件結(jié)構(gòu)和機(jī)理
6．4．3 結(jié)果與討論
6．4．4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)

第7章 GC耐壓層電荷場(chǎng)優(yōu)化
7．1 TGDT LDMOS
7．1．1 引言
7．1．2 結(jié)構(gòu)和機(jī)理
7．1．3 結(jié)果與討論
7．1．4 結(jié)論
7．2 SG DVFP LDMOS
7．2．1 引言
7．2．2 結(jié)構(gòu)和機(jī)理
7．2．3 結(jié)果與討論
7．2．4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
后記

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