集成電路制造工藝技術體系簡介，目錄書摘
2020-05-25 10:42
來源：京東
作者：京東
集成電路制造工藝技術體系
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內容簡介: 《集成電路制造工藝技術體系》從三個方面系統(tǒng)地論述集成電路的制造技術。首先是制造對象，對工藝結構及結構所對應的電子器件特性進行深入的分析與揭示。其次是生產制造本身，詳細討論集成電路各單步作用的本質性特征及各不同工藝技術在成套流程中的作用，討論高端制造的組織、調度和管理，工藝流程的監(jiān)控，工藝效果分析與診斷等內容。最后是支撐半導體制造的沒備設施，該部分的論述比較簡明，但是也從整體和系統(tǒng)的角度突出了制造設備的若干要素。
《集成電路制造工藝技術體系》適合于生產線上的高級工藝技師或管理專家，有助于其從系統(tǒng)和宏觀的角度把握動態(tài)和復雜的制造過程。盡管涉及微電子制造的高端技術環(huán)節(jié)，但是《集成電路制造工藝技術體系》的具體敘述并不艱深，多結合實例來進行，實用性較強。
《集成電路制造工藝技術體系》適合于生產線上的高級工藝技師或管理專家，有助于其從系統(tǒng)和宏觀的角度把握動態(tài)和復雜的制造過程。盡管涉及微電子制造的高端技術環(huán)節(jié)，但是《集成電路制造工藝技術體系》的具體敘述并不艱深，多結合實例來進行，實用性較強。
作者簡介: 嚴利人，男，生于1968年2月，祖籍江蘇。自1985年起接觸半導體、集成電路領域，目前主要從事半導體工藝技術研究及教學工作，技術領域涉及半導體器件設計與優(yōu)化、工藝研發(fā)、專用半導體設備研制等。在微電子領域發(fā)表學術論文多篇，出版譯著、專著3本。
周衛(wèi)，男，生于1958年9月，祖籍廣西桂林。長期從事半導體工藝技術研究，技術領域涵蓋半導體器件工藝研發(fā)、半導體材料與器件表征、半導體器件輻照效應、專用半導體設備研制等。
周衛(wèi)，男，生于1958年9月，祖籍廣西桂林。長期從事半導體工藝技術研究，技術領域涵蓋半導體器件工藝研發(fā)、半導體材料與器件表征、半導體器件輻照效應、專用半導體設備研制等。
目錄:第1章 IC制造的技術特點與發(fā)展趨勢
1．1 IC產業(yè)的發(fā)展歷史與趨勢
1．2 IC制造技術的特點
1．2．1 以復雜的物理-化學過程為主，技術門檻高
1．2．2 生產效率高
1．2．3 能夠實現異常復雜的電路功能
1．2．4 應用極為廣泛
1．2．5 微電子加工技術可延伸應用于相近的其他產業(yè)制造
1．3 本書的線索和章節(jié)內容安排
第2章 半導體器件與工藝結構
2．1 總論
2．1．1 器件：基于能級
2．1．2 器件：基于能帶
2．2 集成電路中的常規(guī)器件
2． 2．1．PN結
2．2．2 雙極晶體管
2．2．3 MOS晶體管
2．3 工藝結構
2．3．1 雙極工藝
2．3．2 NMOS
2．3．3 CMOS
2．3．4 BiCMOS
2．4 其他器件及工藝結構
2．4．1 微機電系統(tǒng)器件
2．4．2 太陽能電池
2．5 新材料與新器件
2．5．1 FinFET
2．5．2 無結器件
2．5．3 納米器件
2．5．4 SiGe材料及SiGe HBT
2．5．5 SiC與GaN
2．6 微電子器件的表示
2．6．1 結構單元
2．6．2 單元鏈、截面和微結構體
2．6．3 器件結構分析
2．7 總結
第3章 IC制造單項工藝技術
3．1 半導體材料的加工處理
3．1．1 外延
3．1．2 摻雜擴散
3．1．3 離子注入
3．2 介質/絕緣材料的加工處理
3．2．1 氧化
3．2．2 LPCVD
3．2．3 PECVD
3．3 互連工藝
3．3．1 Al金屬化
3．3．2 Cu金屬化
3．3．3 多晶硅
3．3．4 接觸
3．4 位置與幾何形狀定義
3．4．1 光刻
3．4．2 刻蝕
3．4．3 剝離
3．5 輔助性工藝技術
3．5．1 化學清洗
3．5．2 熱處理
3．5．3 平坦化與CMP
3．5．4 工藝質量監(jiān)控
3．6 新工藝技術舉例
3．6．1 ALD原子層淀積技術
3．6．2 激光加工技術
3．7 工藝庫
3．8 總結
第4章 IC制造工藝原理
4．1 工藝模塊與流程
4．1．1 LOCOS工藝模塊
4．1．2 用于銅互連的大馬士革工藝
4．1．3 CV測試短流程
4．1．4 CMOS工藝
4．1．5 BiCMOS工藝
4．2 工藝結構加工制造排序
4．2．1 單元加工的排序及規(guī)則
4．2．2 CMOS結構工藝順序
4．2．3 工藝流程的全展開
4．2．4 工藝流程優(yōu)化
4．3 工藝過程仿真
4．3．1 仿真軟件簡介
4．3．2 流程仿真實例
4．4 正交實驗設計
4．5 總結
第5章 IC制造工藝設備
5．1 IC制造設備總論
5．2 IC制造設備
5．2．1 熱處理
5．2．2 LPCVD
5．2．3 離子注入機
5．2．4 等離子體加工設備
5．2．5 光刻及輔助工藝裝備
5．2．6 電學測試
5．3 總結
第6章 IC制造的實施與優(yōu)化
6．1 IC制造的生產規(guī)劃和作業(yè)調度
6．1．1 IC設備的產能匹配
6．1．2 IC制造單流程作業(yè)調度
6．1．3 IC制造多流程作業(yè)調度
6．1．4 生產過程的狀態(tài)跟蹤
6．2 成品率控制技術
6．2．1 統(tǒng)計控制
6．2．2 動態(tài)工藝條件技術
6．2．3 工藝診斷分析
6．3 總結
參考文獻
附錄 多晶發(fā)射極NPN晶體管工藝仿真代碼
1．1 IC產業(yè)的發(fā)展歷史與趨勢
1．2 IC制造技術的特點
1．2．1 以復雜的物理-化學過程為主，技術門檻高
1．2．2 生產效率高
1．2．3 能夠實現異常復雜的電路功能
1．2．4 應用極為廣泛
1．2．5 微電子加工技術可延伸應用于相近的其他產業(yè)制造
1．3 本書的線索和章節(jié)內容安排
第2章 半導體器件與工藝結構
2．1 總論
2．1．1 器件：基于能級
2．1．2 器件：基于能帶
2．2 集成電路中的常規(guī)器件
2． 2．1．PN結
2．2．2 雙極晶體管
2．2．3 MOS晶體管
2．3 工藝結構
2．3．1 雙極工藝
2．3．2 NMOS
2．3．3 CMOS
2．3．4 BiCMOS
2．4 其他器件及工藝結構
2．4．1 微機電系統(tǒng)器件
2．4．2 太陽能電池
2．5 新材料與新器件
2．5．1 FinFET
2．5．2 無結器件
2．5．3 納米器件
2．5．4 SiGe材料及SiGe HBT
2．5．5 SiC與GaN
2．6 微電子器件的表示
2．6．1 結構單元
2．6．2 單元鏈、截面和微結構體
2．6．3 器件結構分析
2．7 總結
第3章 IC制造單項工藝技術
3．1 半導體材料的加工處理
3．1．1 外延
3．1．2 摻雜擴散
3．1．3 離子注入
3．2 介質/絕緣材料的加工處理
3．2．1 氧化
3．2．2 LPCVD
3．2．3 PECVD
3．3 互連工藝
3．3．1 Al金屬化
3．3．2 Cu金屬化
3．3．3 多晶硅
3．3．4 接觸
3．4 位置與幾何形狀定義
3．4．1 光刻
3．4．2 刻蝕
3．4．3 剝離
3．5 輔助性工藝技術
3．5．1 化學清洗
3．5．2 熱處理
3．5．3 平坦化與CMP
3．5．4 工藝質量監(jiān)控
3．6 新工藝技術舉例
3．6．1 ALD原子層淀積技術
3．6．2 激光加工技術
3．7 工藝庫
3．8 總結
第4章 IC制造工藝原理
4．1 工藝模塊與流程
4．1．1 LOCOS工藝模塊
4．1．2 用于銅互連的大馬士革工藝
4．1．3 CV測試短流程
4．1．4 CMOS工藝
4．1．5 BiCMOS工藝
4．2 工藝結構加工制造排序
4．2．1 單元加工的排序及規(guī)則
4．2．2 CMOS結構工藝順序
4．2．3 工藝流程的全展開
4．2．4 工藝流程優(yōu)化
4．3 工藝過程仿真
4．3．1 仿真軟件簡介
4．3．2 流程仿真實例
4．4 正交實驗設計
4．5 總結
第5章 IC制造工藝設備
5．1 IC制造設備總論
5．2 IC制造設備
5．2．1 熱處理
5．2．2 LPCVD
5．2．3 離子注入機
5．2．4 等離子體加工設備
5．2．5 光刻及輔助工藝裝備
5．2．6 電學測試
5．3 總結
第6章 IC制造的實施與優(yōu)化
6．1 IC制造的生產規(guī)劃和作業(yè)調度
6．1．1 IC設備的產能匹配
6．1．2 IC制造單流程作業(yè)調度
6．1．3 IC制造多流程作業(yè)調度
6．1．4 生產過程的狀態(tài)跟蹤
6．2 成品率控制技術
6．2．1 統(tǒng)計控制
6．2．2 動態(tài)工藝條件技術
6．2．3 工藝診斷分析
6．3 總結
參考文獻
附錄 多晶發(fā)射極NPN晶體管工藝仿真代碼
京公網安備 11000002000088號
