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2020-04-26 10:26 來源：京東作者：京東

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內(nèi)容簡介:本書主要討論窄禁帶半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)，包括晶體生長，能帶結(jié)構(gòu)，光學(xué)性質(zhì)，晶格振動，自由載流子的激發(fā)、運(yùn)輸和復(fù)合，雜質(zhì)缺陷，表面界面，二維電子氣，超晶格和量子阱，器件物理和應(yīng)用等方面的基本物理現(xiàn)象、效應(yīng)和規(guī)律以及近年來的主要研究進(jìn)展。在窄禁帶半導(dǎo)體物理研究過程中建立的新型實(shí)驗(yàn)方法及器件應(yīng)用也在書中有所介紹。

作者簡介:

目錄:序
前言
第1章概述
1.1 窄禁帶半導(dǎo)體
1.2 現(xiàn)代紅外光電子物理
1.2.1 紅外材料平臺
1.2.2 紅外物理規(guī)律
1.2.3 紅外功能器件
1.2.4 紅外技術(shù)應(yīng)用
參考文獻(xiàn)

第2章晶體
2.1 晶體生長的基本理論
2.1.1 引言
2.1.2 晶體生長熱力學(xué)問題
2.1.3 晶體生長動力學(xué)問題
2.1.4 相圖在晶體生長中的應(yīng)用
2.1.5 分凝系數(shù)
2.1.6 凝固過程
2.2 體材料生長的主要方法
2.2.1 提拉法
2.2.2 布里奇曼方法
2.2.3 半熔法和Te溶劑法
2.2.4 固態(tài)再結(jié)晶方法
2.3 液相外延薄膜的生長
2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生長條件
2.3.2 液相外延的生長程序
2.3.3 不同方式液相外延的比較
2.3.4 影響Hg1-xCdxTe液相外延層質(zhì)量的幾個因素
2.4 分子束外延薄膜生長
2.4.1 分子束外延生長過程

第3章能帶結(jié)構(gòu)
第4章光學(xué)性質(zhì)
第5章輸運(yùn)性質(zhì)
第6章晶格振動
第7章雜質(zhì)缺陷
第8章復(fù)合
第9章表面二維電子氣
第10章超晶格和量子阱
第11章器件物理
附錄A 不同組分的HG1-xCDxTe的物理量關(guān)系表
附錄B 簡要公式

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