晶體生長(zhǎng)原理與技術(shù)（第二版）簡(jiǎn)介，目錄書摘
2020-02-17 14:33
來(lái)源：京東
作者：京東
晶體生長(zhǎng)原理與技術(shù)（第二版）
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內(nèi)容簡(jiǎn)介:本書分4篇探討晶體生長(zhǎng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(zhǎng)的基本原理，分5章對(duì)晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過(guò)程、生長(zhǎng)形態(tài)及晶體生長(zhǎng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(zhǎng)的技術(shù)基礎(chǔ)，分3章進(jìn)行晶體生長(zhǎng)過(guò)程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流)、化學(xué)基礎(chǔ)問(wèn)題(材料的提純與合成問(wèn)題)以及物理基礎(chǔ)(電、磁、力的作用原理)的綜合分析。第三篇為晶體生長(zhǎng)技術(shù)，分4章分別對(duì)以Bridgman法為主的熔體法晶體生長(zhǎng)、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長(zhǎng)、溶液法晶體生長(zhǎng)以及氣相晶體生長(zhǎng)技術(shù)與**發(fā)展進(jìn)行介紹。第四篇分2章分別對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中缺陷的形成與控制和晶體的結(jié)構(gòu)與性能表征方法進(jìn)行論述。
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