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固體電子學(xué)導(dǎo)論(第2版)/高等學(xué)校電子信息類專業(yè)系列教材簡介,目錄書摘

2020-02-06 17:29 來源:京東 作者:京東
書摘
固體電子學(xué)導(dǎo)論(第2版)/高等學(xué)校電子信息類專業(yè)系列教材
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編輯推薦:

  隨著半導(dǎo)體材料工藝日趨成熟,新的固態(tài)電子器件因材料質(zhì)量的提高和對材料物理的深入研究而不斷出現(xiàn)。固態(tài)電子器件是現(xiàn)代集成電路的基礎(chǔ),它還廣泛應(yīng)用于其他各領(lǐng)域,如光纖通信、固體成像、微波通信等。
  本書介紹固體電子學(xué)的基礎(chǔ)理論,主要涉及固體物理和半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識,包括晶體的結(jié)構(gòu)、晶體的結(jié)合、晶格振動(dòng)、晶體缺陷、能帶理論、半導(dǎo)體中的載流子、PN結(jié)、固體表面及界面接觸現(xiàn)象、半導(dǎo)體器件原理、固體的光學(xué)性質(zhì)與光電現(xiàn)象等內(nèi)容。

內(nèi)容簡介:

  全書共分8章。1-3章介紹固體物理的基本知識,內(nèi)容有:晶體結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)合、晶體生長、確定晶體結(jié)構(gòu)的方法;晶格振動(dòng)形成格波的特點(diǎn)、聲子的概念及聲子譜的測量方法;晶體缺陷的主要類型;能帶理論的基礎(chǔ)知識,包括金屬中的自由電子模型,晶體電子的波函數(shù)與能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),有效質(zhì)量、空穴的概念,以及實(shí)際晶體能帶結(jié)構(gòu)舉例。4-8章介紹半導(dǎo)體材料與器件特性,內(nèi)容有:載流子濃度、遷移率、電導(dǎo)率的計(jì)算,漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),非平衡載流子,連續(xù)性方程;PN結(jié)的形成與能帶圖、電流電壓特性、電容、擊穿;固體表面態(tài)的基本概念,表面電場效應(yīng),金屬與半導(dǎo)體的接觸,MIS結(jié)構(gòu)的電容—電壓特性;半導(dǎo)體器件的基本原理,包括二極管、雙極型晶體管、場效應(yīng)晶體管,半導(dǎo)體集成器件和微細(xì)加工技術(shù)簡介。固體的光學(xué)常數(shù)及實(shí)驗(yàn)測量,光吸收,光電導(dǎo),光生伏特效應(yīng)及太陽電池,半導(dǎo)體發(fā)光及發(fā)光二極管等。

作者簡介:  沈?yàn)槊?,中國?jì)量大學(xué)教授,校教學(xué)名師,浙江省優(yōu)秀教師。1982年本科畢業(yè)于杭州大學(xué)(現(xiàn)合并到浙江大學(xué))物理系,1989年研究生畢業(yè)于南開大學(xué)電子系。主要研究方向?yàn)楣怆姕y量、光纖傳感、半導(dǎo)體光電等,先后主持或參加完成杭州市重大科研項(xiàng)目、浙江省自然科學(xué)基金項(xiàng)目、浙江省重大科技項(xiàng)目、國家863項(xiàng)目、973項(xiàng)目等。負(fù)責(zé)的電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)被列入浙江省重點(diǎn)專業(yè)、浙江省特色專業(yè)、教育部卓越工程師計(jì)劃專業(yè),負(fù)責(zé)的《光電信息專業(yè)實(shí)驗(yàn)》為省精品課程。主持完成浙江省高等教育教學(xué)改革項(xiàng)目、教育部教指委第一類課題、浙江省高教學(xué)會研究項(xiàng)目等。現(xiàn)為全國高校光學(xué)教學(xué)研究會副理事長、教育部評估中心(中國工程教育認(rèn)證協(xié)會)專業(yè)認(rèn)證專家。
目錄:

第1章晶體的結(jié)構(gòu)和晶體的結(jié)合
1.1晶體的特征與晶體結(jié)構(gòu)的周期性
1.1.1晶體的特征
1.1.2晶體結(jié)構(gòu)的周期性
1.1.3原胞與晶胞
1.1.4實(shí)際晶體舉例
1.2晶列與晶面倒格子
1.2.1晶列
1.2.2晶面
1.2.3倒格子
1.3晶體結(jié)構(gòu)的對稱性晶系
1.3.1物體的對稱性與對稱操作
*1.3.2晶體的對稱點(diǎn)群
1.3.3晶系
*1.3.4準(zhǔn)晶體
*1.4確定晶體結(jié)構(gòu)的方法
1.4.1晶體衍射的一般介紹
1.4.2衍射方程
1.4.3反射公式
1.4.4反射球
1.5晶體的結(jié)合
1.5.1離子性結(jié)合
1.5.2共價(jià)結(jié)合
1.5.3金屬性結(jié)合
1.5.4范德華結(jié)合
*1.6晶體生長簡介
1.6.1自然界的晶體
1.6.2溶液中生長晶體
1.6.3水熱法生長晶體
1.6.4熔體中生長晶體
1.6.5硅、鍺單晶生長
習(xí)題1
第2章晶格振動(dòng)和晶體的缺陷
2.1晶格振動(dòng)和聲子
2.1.1一維單原子晶格的振動(dòng)
2.1.2周期性邊界條件
2.1.3晶格振動(dòng)量子化聲子
*2.2聲學(xué)波與光學(xué)波
2.2.1一維雙原子晶格的振動(dòng)
2.2.2聲學(xué)波和光學(xué)波的特點(diǎn)
*2.3格波與彈性波的關(guān)系
2.4聲子譜的測量方法
2.5晶體中的缺陷
2.5.1點(diǎn)缺陷
2.5.2線缺陷
2.5.3面缺陷
習(xí)題2
第3章能帶論基礎(chǔ)
3.1晶體中電子狀態(tài)的近似處理方法
3.1.1單電子近似
3.1.2周期性勢場的形成
3.2金屬中的自由電子模型
3.2.1無限深勢阱近似——駐波解
3.2.2周期性邊界條件——行波解
3.2.3能態(tài)密度
*3.2.4費(fèi)米球
3.3布洛赫定理
3.3.1布洛赫定理的表述
*3.3.2布洛赫定理的證明
3.3.3布洛赫函數(shù)的意義
3.4克龍尼克潘納模型
3.4.1求解
3.4.2討論
3.4.3能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)
*3.5能帶的計(jì)算方法
3.5.1準(zhǔn)自由電子近似
*3.5.2布洛赫函數(shù)的例子
3.5.3緊束縛近似
3.6晶體的導(dǎo)電性
3.6.1電子運(yùn)動(dòng)的速度和加速度有效質(zhì)量
3.6.2電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電
3.6.3導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的區(qū)別
*3.7實(shí)際晶體的能帶
3.7.1回旋共振和有效質(zhì)量
3.7.2硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
3.7.3砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)
習(xí)題3
第4章半導(dǎo)體中的載流子
4.1本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體
4.1.1本征半導(dǎo)體
4.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體
4.1.3雜質(zhì)電離能與雜質(zhì)補(bǔ)償
4.2半導(dǎo)體中的載流子濃度
4.2.1費(fèi)米分布函數(shù)
4.2.2平衡態(tài)下的導(dǎo)帶電子濃度和價(jià)帶空穴濃度
4.2.3本征載流子濃度與費(fèi)米能級
4.2.4雜質(zhì)充分電離時(shí)的載流子濃度
4.2.5雜質(zhì)未充分電離時(shí)的載流子濃度
*4.3簡并半導(dǎo)體
4.4載流子的漂移運(yùn)動(dòng)
4.4.1遷移率
4.4.2電導(dǎo)率
*4.4.3霍耳(Hall)效應(yīng)
4.5非平衡載流子及載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
4.5.1穩(wěn)態(tài)與平衡態(tài)
4.5.2壽命
4.5.3擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
4.5.4連續(xù)性方程
習(xí)題4
第5章PN結(jié)
5.1PN結(jié)及其能帶圖
5.1.1PN結(jié)的制備
5.1.2PN結(jié)的內(nèi)建電場與能帶圖
5.1.3PN結(jié)的載流子分布
5.1.4PN結(jié)的勢壘形狀
5.2PN結(jié)電流電壓特性
5.2.1非平衡PN結(jié)的勢壘與電流的定性分析
*5.2.2非平衡PN結(jié)的少子分布
5.2.3理想PN結(jié)的電流電壓方程
5.3PN結(jié)電容
5.3.1勢壘電容
5.3.2擴(kuò)散電容
5.3.3勢壘電容的計(jì)算
5.3.4擴(kuò)散電容的計(jì)算
5.4PN結(jié)擊穿
5.4.1雪崩擊穿
5.4.2隧道擊穿(齊納擊穿)
5.4.3熱電擊穿
習(xí)題5
第6章固體表面及界面接觸現(xiàn)象
6.1表面態(tài)
6.1.1理想表面和實(shí)際表面
6.1.2表面態(tài)
6.1.3表面態(tài)密度
6.2表面電場效應(yīng)
6.2.1外電場對半導(dǎo)體表面的影響
6.2.2表面空間電荷區(qū)的電場、面電荷密度和電容
6.2.3各種表面層狀態(tài)
6.2.4表面電導(dǎo)
6.3金屬與半導(dǎo)體的接觸
6.3.1金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)
6.3.2接觸電勢差和接觸勢壘
6.3.3金屬與半導(dǎo)體接觸的整流特性
6.3.4歐姆接觸
6.4MIS結(jié)構(gòu)的電容電壓特性
6.4.1理想MIS結(jié)構(gòu)電容
6.4.2理想MIS結(jié)構(gòu)的CV特性
6.4.3功函數(shù)差及絕緣層中電荷對CV特性的影響
*6.5異質(zhì)結(jié)
6.5.1異質(zhì)結(jié)的分類
6.5.2突變異質(zhì)結(jié)的能帶圖
6.5.3異質(zhì)結(jié)的電流電壓特性
6.5.4半導(dǎo)體超晶格
習(xí)題6
第7章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
7.1二極管
7.1.1二極管的基本結(jié)構(gòu)
7.1.2整流二極管
7.1.3齊納二極管
7.1.4變?nèi)荻O管
7.1.5肖特基二極管
7.2雙極型晶體管
7.2.1BJT的基本結(jié)構(gòu)
7.2.2BJT的電流電壓特性
7.3場效應(yīng)晶體管
7.3.1JFET
7.3.2MOSFET
*7.3.3MESFET
7.4半導(dǎo)體集成器件
7.4.1集成電路的構(gòu)成
7.4.2微細(xì)加工技術(shù)
習(xí)題7
第8章固體光電基礎(chǔ)
8.1固體的光學(xué)常數(shù)
8.1.1折射率與消光系數(shù)
*8.1.2克拉末克龍尼克(KramersKronig)關(guān)系
*8.2光學(xué)常數(shù)的測量
8.3半導(dǎo)體的光吸收
8.3.1本征吸收
8.3.2直接躍遷和間接躍遷
8.3.3其他吸收過程
8.4半導(dǎo)體的光電導(dǎo)
8.4.1附加電導(dǎo)率
8.4.2定態(tài)光電導(dǎo)及其弛豫過程
8.4.3本征光電導(dǎo)的光譜分布
8.4.4雜質(zhì)光電導(dǎo)
8.5PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)和太陽能電池
8.5.1PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)
8.5.2光電池的電流電壓特性
8.5.3太陽能電池及其光電轉(zhuǎn)換效率
8.6半導(dǎo)體發(fā)光
8.6.1輻射躍遷
8.6.2發(fā)光效率
8.6.3電致發(fā)光激發(fā)機(jī)構(gòu)
8.6.4發(fā)光二極管(LED)
*8.6.5半導(dǎo)體激光器(LD)
習(xí)題8
附錄A常用表
附錄BExcel在教學(xué)中的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)

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