編輯推薦:　　《微電子器件與IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（第二版）》特點(diǎn)：
　　系統(tǒng)論述微電子器件理論基礎(chǔ)
　　重點(diǎn)論述集成電路設(shè)計(jì)的軟件、硬件及設(shè)計(jì)的方法與流程
　　以CMOS電路為對象，講述現(xiàn)代新EDA軟件的應(yīng)用及版圖設(shè)計(jì)
　　將物理、器件和集成電路的理論．技術(shù)綜合貫通，融為一體

內(nèi)容簡介:　　《微電子器件與IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（第二版）》主要講述微電子器件和集成電路的基礎(chǔ)理論。內(nèi)容包括：微電子器件物理基礎(chǔ)；PN結(jié)；雙極晶體管及MOSFET結(jié)構(gòu)、工作原理和特性；JFET及MES-FET概要；集成電路基本概念及集成電路設(shè)計(jì)方法。共計(jì)7章。
　　《微電子器件與IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（第二版）》可作為高等院校通信、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、光電等專業(yè)本科生學(xué)習(xí)微電子及IC方面知識(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)課教材。由于采用“積木式”結(jié)構(gòu)，也可作為電子科學(xué)與技術(shù)及相關(guān)專業(yè)的本、?？聘吣昙?jí)學(xué)生及研究生的專業(yè)課教材，又可作為從事微電子科學(xué)、電子器件、集成電路等工程研究和應(yīng)用的有關(guān)人員的自學(xué)教材與參考書。

作者簡介:

目錄:第二版前言
第一版前言
符號(hào)表

第1章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1．1 半導(dǎo)體材料
1．1．1 半導(dǎo)體材料的原子構(gòu)成
1．1．2 半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)
1．2 半導(dǎo)體中的電子
1．2．1 量子力學(xué)簡介
1．2．2 半導(dǎo)體中電子的特性與能帶
1．2．3 載流子
1．3 熱平衡狀態(tài)下載流子的濃度
1．3．1 電子的統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律
1．3．2 載流子濃度與費(fèi)米能級(jí)的關(guān)系
1．3．3 本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體
1．4 載流子的輸運(yùn)
1．4．1 載流子的散射
1．4．2 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)與遷移率
1．4．3 漂移電流與電導(dǎo)率
1．4．4 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散系數(shù)
1．4．5 電流密度方程與愛因斯坦關(guān)系式
1．5 非平衡載流子
1．5．1 非平衡載流子的復(fù)合與壽命
1．5．2 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
1．6 連續(xù)性方程與擴(kuò)散方程
1．6．1 連續(xù)性方程
1．6．2 擴(kuò)散方程
思考題1
習(xí)題1

第2章 PN結(jié)
2．1 平衡PN結(jié)能帶圖及空間電荷區(qū)
2．1．1 平衡PN結(jié)能帶圖
2．1．2 PN結(jié)的形成過程
2．1．3 平衡PN結(jié)的載流子濃度分布
2．2 理想PN結(jié)的伏安特性
2．2．1 PN結(jié)的正向特性
2．2．2 PN結(jié)的反向特性
2．2．3 理想PN結(jié)的伏安特性
2．3 實(shí)際PN結(jié)的特性
2．3．1 PN結(jié)空間電荷區(qū)中的復(fù)合電流
2．3．2 PN結(jié)空間電荷區(qū)中的產(chǎn)生電流
2．3．3 PN結(jié)表面漏電流與表面復(fù)合、產(chǎn)生電流
2．3．4 PN結(jié)的溫度特性
2．4 PN結(jié)的擊穿
2．4．1 PN結(jié)空間電荷區(qū)中的電場
2．4．2 PN結(jié)的雪崩擊穿和隧道擊穿
2．5 PN結(jié)的電容
2．5．1 PN結(jié)的勢壘電容
2．5．2 PN結(jié)的擴(kuò)散電容
思考題2
習(xí)題2

第3章 雙極晶體管
3．1 雙極晶體管的結(jié)構(gòu)
3．1．1 基本結(jié)構(gòu)
3．1．2 晶體管的雜質(zhì)分布
3．1．3 晶體管的實(shí)際結(jié)構(gòu)
3．1．4 晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
3．1．5 集成電路中的晶體管
3．2 雙極晶體管的放大原理
3．2．1 晶體管直流短路電流放大系數(shù)
3．2．2 晶體管內(nèi)載流子的傳輸
3．2．3 發(fā)射效率和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)
3．2．4 共基極直流電流放大系數(shù)
3．2．5 共射極直流電流放大系數(shù)島
3．3 雙極晶體管電流增益
3．3．1 均勻基區(qū)晶體管直流電流增益
3．3．2 緩變基區(qū)晶體管直流電流增益
3．3．3 影響電流放大系數(shù)的因素
3．3．4 大電流下晶體管放大系數(shù)的下降
3．4 雙極晶體管常用直流參數(shù)
3．4．1 反向截止電流
3．4．2 擊穿電壓
3．4．3 集電極最大電流
3．4．4 基極電阻
3．5 雙極晶體管盲流伏安特性
3．5．1 均勻基區(qū)晶體管直流伏安特性
3．5．2 雙極晶體管的特性曲線
3．5．3 Ebers-Moll模型
3．6 交流小信號(hào)電流增益及頻率特性參數(shù)
3．6．1 交流小信號(hào)電流傳輸
3．6．2 BJT交流小信號(hào)模型
3．6．3 交流小信號(hào)傳輸延遲時(shí)間
3．6．4 交流小信號(hào)電流增益
3．6．5 頻率特性參數(shù)
3．7 雙極晶體管的開關(guān)特性
3．7．1 晶體管的開關(guān)作用
3．7．2 正向壓降和飽和壓降
3．7．3 晶體管的開關(guān)過程
3．7．4 雙極晶體管的開關(guān)時(shí)間
思考題3
習(xí)題3

第4章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管
4．1 JFET結(jié)構(gòu)與工作原理
4．1．1 PNJFET基本結(jié)構(gòu)
4．1．2 JFET工作原理
4．1．3 JFET特性曲線
4．1．4 夾斷電壓及飽和漏源電壓
4．2 MESFET
4．2．1 金屬與半導(dǎo)體接觸
4．2．2 MESFET基本結(jié)構(gòu)
4．2．3 MESFET工作原理
4．3 JFET直流特性
4．4 直流特性的非理想效應(yīng)
4．4．1 溝道長度調(diào)制效應(yīng)
4．4．2 速度飽和效應(yīng)
4．4．3 亞閾值電流
4．5 JFET的交流小信號(hào)特性
4．5．1 JFET的低頻交流小信號(hào)參數(shù)
4．5．2 JFET本征電容
4．5．3 交流小信號(hào)等效電路
4．5．4 JFET的頻率參數(shù)
思考題4
習(xí)題4

第5章 MOSFET
5．1 MOS結(jié)構(gòu)及其特性
5．2 MOSFET的結(jié)構(gòu)及工作原理
5．2．1 MOSFET基本結(jié)構(gòu)
5．2．2 MOSFET基本類型
5．2．3 MOSFET基本工作原理
5．2．4 MOSFET轉(zhuǎn)移特性
5．2．5 MOSFET輸出特性
5．3 MOSFET的閾值電壓
5．3．1 閾值電壓的含義
5．3．2 平帶電壓
5．3．3 實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)的電荷分布
5．3．4 閾值電壓表示式
5．3．5 VBS≠O時(shí)的閾值電壓
5．3．6 影響閾值電壓的因素
5．4 MOSFET直流特性
5．4．1 薩支唐方程
5．4．2 影響直流特性的因素
5．4．3 擊穿特性
5．4．4 亞閾特性
5．5 MOSFET小信號(hào)特性
5．5．1交流小信號(hào)參數(shù)
5．5．2本征電容
5．5．3交流小信號(hào)等效電路
5．5．4 截止頻率
5．6 MOSFET開關(guān)特性
5．6．1 開關(guān)原理
5．6．2 開關(guān)時(shí)間
5．7 短溝道效應(yīng)及按比例縮小規(guī)則
5．7．1 短溝道效應(yīng)的含義
5．7．2 短溝道對閾值電壓的影響
5．7．3 窄溝道對閾值電壓的影響
5．7．4 按比例縮小規(guī)則
思考題5
習(xí)題5

第6章 集成電路概論
6．1 什么是集成電路
6．2 集成電路的發(fā)展歷史
6．3 集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)及發(fā)展概況
6．4 集成電路分類
6．5 集成電路工藝概述
6．5．1 外延生長
6．5．2 氧化
6．5．3 摻雜
6．5．4 光刻
6．5．5 刻蝕
6．5．6 淀積
6．5．7 鈍化
6．6 CMOS工藝中的無源器件及版圖
6．6．1 電阻
6．6．2 電容
6．6．3 電感
6．7 CMOS工藝中的有源器件及版圖
6．7．1 NMOS
6．7．2 PMOS
6．7．3 NPN
6．7．4 PNI
6．8 CMOS反相器
6．8．1 CMOS反相器的直流特性
6．8．2 CMOS反相器的瞬態(tài)特性
6．8．3 CMOS反相器的功耗與設(shè)計(jì)
6．8．4 CMOS反相器的制作工藝及版圖
6．9 CMOS傳輸門
6．9．1 NMOS傳輸門的特性
6．9．2 PMOS傳輸門的特性
6．9．3 CMOS傳輸門的特性
6．10 CMOS放大器
6．10．1 共源放大器
6．10．2 源極跟隨器
6．10．3 共柵放大器
思考題6
習(xí)題6

第7章 集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
7．1 模擬集成電路設(shè)計(jì)概述
7．2 模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程及EDA
7．2．1 模擬集成電路設(shè)計(jì)一般流程
7．2．2 模擬集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)EDA
7．2．3 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)例
7．3 數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)流程及EDA
7．3．1 數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)一般流程
7．3．2 數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)EDA
7．3．3 Vetiog HDL及數(shù)字電路設(shè)計(jì)
7．4 集成電路版圖設(shè)計(jì)
7．4．1 集成電路版圖設(shè)計(jì)基本理論
7．4．2 版圖設(shè)計(jì)的方式
7．4．3 半定制數(shù)字集成電路版圖設(shè)計(jì)
7．4．4 全定制模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)
思考題7
習(xí)題7
參考文獻(xiàn)

附錄
附錄A 硅電阻率與雜質(zhì)濃度關(guān)系
附錄B 硅中載流子遷移率與雜質(zhì)濃度關(guān)系
附錄C Si和GaAs在300K的性質(zhì)
附錄D 常用元素、二元及三元半導(dǎo)體性質(zhì)
附錄E 常用物理常數(shù)
附錄F 國際單位制（SI單位）
附錄G 單位詞頭