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半導(dǎo)體納米材料在太赫茲電場中的特性(英文版)簡介,目錄書摘

2020-02-19 09:59 來源:京東 作者:京東
半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體納米材料在太赫茲電場中的特性(英文版)
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10評(píng)論 77%好評(píng)
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內(nèi)容簡介:  《半導(dǎo)體納米材料在太赫茲電場中的特性(英文版)》系統(tǒng)詳盡地介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)納米結(jié)構(gòu)在太赫茲電場中的響應(yīng)特性、空間載流子受激運(yùn)動(dòng)機(jī)理、精確解析及快速分析的方法。涵蓋了半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論,載流子輸運(yùn)方程分析、有限元數(shù)值方法解析、等效電路分析方法等內(nèi)容。
作者簡介:
目錄:1  Introduction
References

2  Theoretical Framework
2.1  Electromagnetic Field Theory
2.2  Brief Review on Related Semiconductor Physics
2.2.1  Energy band theory
2.2.2  Carrier concentration at thermal equilibrium
2.3  Charge Transport in Semiconductor
References

3  Semiconductor Nanostructure in the Static Electric Field
3.1  Semiconductor Nanoplate in the Static Field
3.2  Semiconductor Nanoparticle in the Static Field

4  Response of Elementary Semiconductor Nanostructures in Quasi-Static Electric Field
4.1  Carrier Dynamics
4.2  Semiconductor Nanoplate in the Quasi-Static Field
4.3  Semiconductor Nanoparticle in the Quasi-Static Field
References

5  Full Wave Analysis
5.1  Full Wave Analysis of a Semiconductor Nanoparticle
5.2  Response of Semiconductor Nanoparticle with High Doping Level in Dynamic Field

6  Equivalent Circuit Representation for Conductive Nanostructure
6.1  Basic Concepts of Equivalent Circuit
6.2  Equivalent Circuit Representation for the Semiconductor Nanoplate
6.3  Equivalent Circuit Representation for the Semiconductor Nanoparticle
6.4  Equivalent Circuit Representation for the Metal Nanoparticle
References

7  Conclusion
7.1  Summary
7.2  Suggestions for Future Work
Appendix A
Appendix B
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