晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）簡介，目錄書摘
2020-03-23 09:46
來源：京東
作者：京東
晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）
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內(nèi)容簡介: 《晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）》是一本關(guān)于成核、晶體生長和外延的經(jīng)典教科書，也是一本對于材料、物理、電子類專業(yè)的高年級本科生、研究生以及相關(guān)研究人員、教師的非常有價值的參考書。與該領(lǐng)域同類的書籍相比，《晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）》不但是早的專著之一，而且也是影響力很大的一本。
《晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）》沒有過多涉及晶體生長和外延的相關(guān)基本技術(shù)手段，而是集中筆墨介紹了關(guān)于晶體生長和外延的熱力學和原子動力學理論，并將這些理論與實際中遇到的現(xiàn)象緊密結(jié)合在一起，作了深入淺出的解釋。
《晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）》內(nèi)容翔實、結(jié)構(gòu)清晰、說理明快，讀者一定會有很大收獲。
《晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）》沒有過多涉及晶體生長和外延的相關(guān)基本技術(shù)手段，而是集中筆墨介紹了關(guān)于晶體生長和外延的熱力學和原子動力學理論，并將這些理論與實際中遇到的現(xiàn)象緊密結(jié)合在一起，作了深入淺出的解釋。
《晶體生長初步：成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)（第2版）》內(nèi)容翔實、結(jié)構(gòu)清晰、說理明快，讀者一定會有很大收獲。
作者簡介: Ivan V.Markov，目前為保加利亞科學院物理化學研究所的榮譽退休教授。Markm，于1965年在保加利亞索菲亞大學獲得化學專業(yè)學位，隨后加入位于索菲亞的保加利亞科學院物理化學研究所，于1976年在該所獲得金屬電化學成核的哲學博士學位，此后從事薄膜外延生長的理論研究，并于1989年獲得理學博士學位。他曾是德國德累斯頓大學（1989）、中國臺灣清華大學材料科學系（1992-1994）、西班牙馬德里自治大學凝聚態(tài)物理系（1992-1994）、中國香港大學物理系（2004）等的客座教授，講授成核、晶體生長和外延基礎(chǔ)的課程。他的研究興趣主要集中于成核和外延（外延界面結(jié)構(gòu)、外延生長機制以及表面活性劑的作用等），圍繞這些研究方向，發(fā)表了約100篇科學論文。
目錄:第一章 晶體一環(huán)境相平衡
1．1 無限大相的平衡
1．2 過飽和
1．3 有限相的平衡
1．3．1 拉普拉斯方程
1．3．2 湯姆森一吉布斯方程
1．4 晶體平衡形狀
1．4．1 吉布斯一居里一武爾夫定理
1．4．1．1 三維媒質(zhì)中的晶體
1．4．1．2 表面上的晶體
1．4．2 表面能的極坐標圖
1．4．3 赫靈公式
1．4．4 晶體表面的穩(wěn)定性
1．5 晶體生長的原子論觀點
1．5．1 擁有環(huán)境相的無限大晶體的平衡——半晶體位置的概念
1．5．2 平衡有限晶體一環(huán)境相——平均分離功的概念
1．5．3 平衡二維晶體一環(huán)境相
1．5．4 晶體的平衡形狀——原子論方法
1．5．5 二維晶體在異質(zhì)襯底上的平衡蒸氣壓
1．6 晶體表面的平衡結(jié)構(gòu)
1．6．1 晶體表面的分類
1．6．2 一個臺階的平衡結(jié)構(gòu)
1．6．3 F面的平衡結(jié)構(gòu)
1．6．3．1 Jackson模型
1．6．3．2 Temkin模型
1．6．3．3 Fisher和Weeks標準
1．6．4 動力學粗糙
第二章 成核
2．1 熱力學
2．1．1 核的同質(zhì)形成
2．1．2 三維核的異質(zhì)形成
2．1．3 彈性應變的三維核的異質(zhì)形成
2．1．4 二維核的形成
2．1．5 在異質(zhì)襯底上成核的模式
2．2 成核率
2．2．1 一般表述
2．2．2 平衡態(tài)
2．2．3 穩(wěn)態(tài)成核率
2．2．4 液體從氣相的成核
2．2．5 統(tǒng)計貢獻
2．2．6 從溶液和熔融物的成核
2．2．7 異質(zhì)成核率
2．2．8 二維成核速率
2．2．8．1 從氣體開始的二維成核率
2．2．8．2 從溶液開始的二維成核率
2．2．8．3 熔融物中的二維成核率
2．2．9 成核的原子理論
2．2．9．1 平衡態(tài)
2．2．9．2 穩(wěn)態(tài)成核率
2．2．10 非穩(wěn)態(tài)成核
2．2．11 大量結(jié)晶及飽和核密度
2．2．12 Ostwald的臺階法則
第三章 晶體生長
3．1 粗糙晶體面的垂直生長
3．2 平坦表面的層狀生長
3．2．1 臺階推進速率
3．2．1．1 從氣相的生長
3．2．1．2 從溶液的生長
3．2．1．3 從熔融物的生長
3．2．2 F面的螺旋生長
3．2．2．1 生長螺旋的形狀
3．2．2．2 從氣相的生長
3．2．2．3 溶液中的生長
3．2．2．4 從熔融物的生長
3．2．3 從二維成核中的生長
3．2．3．1 成核和臺階推進的恒定速率
3．2．3．2 依賴于時間的成核率及臺階推進速率
3．2．4 表面各向異性的影響——si（001）鄰位面的生長
3．2．4．1 二聚體結(jié)構(gòu)
3．2．4．2 臺階的結(jié)構(gòu)和能量
3．2．4．3 鄰位si（100）表面的基態(tài)
3．2．4．4 表面擴散系數(shù)的各向異性
3．2．4．5 一維成核理論
3．2．4．6 通過一維成核的臺階推進速率
3．2．4．7 通過臺階流動的Si（001）鄰位面的生長
3．2．5 Ehrlich-Schwoebel勢壘和它的后果
3．2．5．1 Ehrlich-Schwoebel對于臺階流動的作用
3．2．5．2 對于二維成核的Ehrlich-Schwoebel作用
3．3 晶體生長的動力學理論
3．4 晶體生長中的一個經(jīng)典實驗
第四章 外延生長
4．1 基本概念和定義
4．2 外延界面的結(jié)構(gòu)和能量
4．2．1 邊界區(qū)域
4．2．2 外延界面的模型
4．2．3 失配位錯
4．2．4 薄覆蓋層的．Frank-van der Merwe模型
4．2．4．1 原子間電勢
4．2．4．2 界面相互作用
4．2．4．3 外延界面的一維模型
4．2．4．4 Frank和van der Merwe的二維模型
4．2．4．5 二維和一維模型的比較
4．2．4．6 對于增厚的覆蓋層應用一維模型
4．2．5 擁有非胡克原子間力的一維模型
4．2．6 厚的附生的van de MerWe模型
4．2．7 增厚附生層
4．2．8 Voherra方法
4．3 生長外延薄膜的機制
4．3．1 生長模式的分類
4．3．2 實驗證據(jù)
4．3．2．1 金屬在絕緣體上
4．3．2．2 金屬在金屬上
4．3．2．3 金屬在半導體上
4．3．2．4 半導體在半導體上
4．3．3 一般趨勢
4．3．4 外延的熱力學
4．3．4．1 潤濕和團簇
4．3．4．2 對于失配晶體的杜普雷關(guān)系
4．3．4．3 化學勢隨厚度的變化
4．3．4．4 生長模式的熱力學判據(jù)
4．3．5 外延薄膜生長的動力學
4．3．5．1 二維一三維轉(zhuǎn)換機制
4．3．5．2 二維一三維轉(zhuǎn)變的動力學
4．3．5．3 二維一三維轉(zhuǎn)變的臨界溫度
4．3．5．4 交叉影線圖案
4．3．6 外延生長中的表面活性劑
4．3．6．1 熱力學探討
4．3．6．2 動力學
參考文獻
索引
譯者后記
1．1 無限大相的平衡
1．2 過飽和
1．3 有限相的平衡
1．3．1 拉普拉斯方程
1．3．2 湯姆森一吉布斯方程
1．4 晶體平衡形狀
1．4．1 吉布斯一居里一武爾夫定理
1．4．1．1 三維媒質(zhì)中的晶體
1．4．1．2 表面上的晶體
1．4．2 表面能的極坐標圖
1．4．3 赫靈公式
1．4．4 晶體表面的穩(wěn)定性
1．5 晶體生長的原子論觀點
1．5．1 擁有環(huán)境相的無限大晶體的平衡——半晶體位置的概念
1．5．2 平衡有限晶體一環(huán)境相——平均分離功的概念
1．5．3 平衡二維晶體一環(huán)境相
1．5．4 晶體的平衡形狀——原子論方法
1．5．5 二維晶體在異質(zhì)襯底上的平衡蒸氣壓
1．6 晶體表面的平衡結(jié)構(gòu)
1．6．1 晶體表面的分類
1．6．2 一個臺階的平衡結(jié)構(gòu)
1．6．3 F面的平衡結(jié)構(gòu)
1．6．3．1 Jackson模型
1．6．3．2 Temkin模型
1．6．3．3 Fisher和Weeks標準
1．6．4 動力學粗糙
第二章 成核
2．1 熱力學
2．1．1 核的同質(zhì)形成
2．1．2 三維核的異質(zhì)形成
2．1．3 彈性應變的三維核的異質(zhì)形成
2．1．4 二維核的形成
2．1．5 在異質(zhì)襯底上成核的模式
2．2 成核率
2．2．1 一般表述
2．2．2 平衡態(tài)
2．2．3 穩(wěn)態(tài)成核率
2．2．4 液體從氣相的成核
2．2．5 統(tǒng)計貢獻
2．2．6 從溶液和熔融物的成核
2．2．7 異質(zhì)成核率
2．2．8 二維成核速率
2．2．8．1 從氣體開始的二維成核率
2．2．8．2 從溶液開始的二維成核率
2．2．8．3 熔融物中的二維成核率
2．2．9 成核的原子理論
2．2．9．1 平衡態(tài)
2．2．9．2 穩(wěn)態(tài)成核率
2．2．10 非穩(wěn)態(tài)成核
2．2．11 大量結(jié)晶及飽和核密度
2．2．12 Ostwald的臺階法則
第三章 晶體生長
3．1 粗糙晶體面的垂直生長
3．2 平坦表面的層狀生長
3．2．1 臺階推進速率
3．2．1．1 從氣相的生長
3．2．1．2 從溶液的生長
3．2．1．3 從熔融物的生長
3．2．2 F面的螺旋生長
3．2．2．1 生長螺旋的形狀
3．2．2．2 從氣相的生長
3．2．2．3 溶液中的生長
3．2．2．4 從熔融物的生長
3．2．3 從二維成核中的生長
3．2．3．1 成核和臺階推進的恒定速率
3．2．3．2 依賴于時間的成核率及臺階推進速率
3．2．4 表面各向異性的影響——si（001）鄰位面的生長
3．2．4．1 二聚體結(jié)構(gòu)
3．2．4．2 臺階的結(jié)構(gòu)和能量
3．2．4．3 鄰位si（100）表面的基態(tài)
3．2．4．4 表面擴散系數(shù)的各向異性
3．2．4．5 一維成核理論
3．2．4．6 通過一維成核的臺階推進速率
3．2．4．7 通過臺階流動的Si（001）鄰位面的生長
3．2．5 Ehrlich-Schwoebel勢壘和它的后果
3．2．5．1 Ehrlich-Schwoebel對于臺階流動的作用
3．2．5．2 對于二維成核的Ehrlich-Schwoebel作用
3．3 晶體生長的動力學理論
3．4 晶體生長中的一個經(jīng)典實驗
第四章 外延生長
4．1 基本概念和定義
4．2 外延界面的結(jié)構(gòu)和能量
4．2．1 邊界區(qū)域
4．2．2 外延界面的模型
4．2．3 失配位錯
4．2．4 薄覆蓋層的．Frank-van der Merwe模型
4．2．4．1 原子間電勢
4．2．4．2 界面相互作用
4．2．4．3 外延界面的一維模型
4．2．4．4 Frank和van der Merwe的二維模型
4．2．4．5 二維和一維模型的比較
4．2．4．6 對于增厚的覆蓋層應用一維模型
4．2．5 擁有非胡克原子間力的一維模型
4．2．6 厚的附生的van de MerWe模型
4．2．7 增厚附生層
4．2．8 Voherra方法
4．3 生長外延薄膜的機制
4．3．1 生長模式的分類
4．3．2 實驗證據(jù)
4．3．2．1 金屬在絕緣體上
4．3．2．2 金屬在金屬上
4．3．2．3 金屬在半導體上
4．3．2．4 半導體在半導體上
4．3．3 一般趨勢
4．3．4 外延的熱力學
4．3．4．1 潤濕和團簇
4．3．4．2 對于失配晶體的杜普雷關(guān)系
4．3．4．3 化學勢隨厚度的變化
4．3．4．4 生長模式的熱力學判據(jù)
4．3．5 外延薄膜生長的動力學
4．3．5．1 二維一三維轉(zhuǎn)換機制
4．3．5．2 二維一三維轉(zhuǎn)變的動力學
4．3．5．3 二維一三維轉(zhuǎn)變的臨界溫度
4．3．5．4 交叉影線圖案
4．3．6 外延生長中的表面活性劑
4．3．6．1 熱力學探討
4．3．6．2 動力學
參考文獻
索引
譯者后記
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