內(nèi)容簡介:　　在把握陣列天線理論體系的基礎(chǔ)上，《陣列天線理論與工程應(yīng)用》重點(diǎn)介紹經(jīng)典的、實(shí)用的分析與綜合方法，為了使理論與工程實(shí)際相結(jié)合，書中采用相關(guān)綜合方法設(shè)計(jì)的實(shí)際陣列天線，包括實(shí)物照片或仿真模型、仿真結(jié)果和實(shí)測結(jié)果。共8章，主要內(nèi)容包括：直線陣列及其分析、直線陣列的綜合理論與方法、平面陣列及其分析、平面陣列的綜合理論與方法、陣列天線的優(yōu)化綜合理論及方法、相控陣天線基礎(chǔ)、陣列天線的稀疏技術(shù)理論與方法，以及大間距平面陣柵瓣抑制的理論和方法等。《陣列天線理論與工程應(yīng)用》提供配套電子課件。
　　《陣列天線理論與工程應(yīng)用》可作為高等學(xué)校通信專業(yè)高年級本科生和研究生相關(guān)課程的教材，也可供相關(guān)領(lǐng)域科技工作者學(xué)習(xí)參考。

作者簡介:　　王建，電子科技大學(xué)教授，1982年至今在電子科技大學(xué)任教，二十多年來，負(fù)責(zé)“天線原理與設(shè)計(jì)”、“陣列天線分析與綜合”、“電磁場與微波技術(shù)前言專題”等課程。

目錄:目錄
引言

第1章 直線陣列的分析
1.1 電流源的輻射場
1.2 直線陣列
1.2.1 并排振子直線陣
1.2.2 共軸振子直線陣
1.2.3 直線陣陣因子的簡單導(dǎo)出方法
1.3 均勻直線陣的分析
1.3.1 主瓣最大值及最大指向
1.3.2 側(cè)射陣、端射陣與掃描陣
1.3.3 可見區(qū)與非可見區(qū)
1.3.4 柵瓣及不出現(xiàn)柵瓣的條件
1.3.5 均勻側(cè)射陣、掃描陣及端射陣的方向圖
1.3.6 零點(diǎn)位置
1.3.7 主瓣零點(diǎn)寬度（BW）0
1.3.8 主瓣寬度（BW）h
1.3.9 副瓣位置和副瓣電平
1.3.1 0方向性系數(shù)D
1.3.1 1均勻直線陣方向性系數(shù)的另一種計(jì)算方法
1.3.1 2相關(guān)問題的補(bǔ)充
1.4 強(qiáng)方向性端射陣
1.4.1 漢森-伍德亞德條件
1.4.2 強(qiáng)方向性端射陣的方向性系數(shù)
1.4.3 強(qiáng)方向性端射陣的其他參數(shù)
1.5 用Z變換法分析陣列
1.5.1 Z變換與陣因子函數(shù)
1.5.2 Z變換法分析陣列
1.6 謝昆諾夫單位圓輔助分析陣列
1.6.1 謝昆諾夫單位圓
1.6.2 均勻側(cè)射陣的分析
1.6.3 低副瓣陣列
1.6.4 賦形波束陣列
1.7 不均勻陣列的分析
1.7.1 不等間距陣列
1.7.2 不均勻相位遞變陣列
1.8 單脈沖陣列
1.8.1 和、差方向圖陣因子
1.8.2 和、差方向性系數(shù)
1.8.3 差方向圖主瓣和副瓣最大值位置
1.8.4 單脈沖雷達(dá)天饋系統(tǒng)簡圖
1.8.5 實(shí)例分析

第2章 直線陣列的綜合
2.1 道爾夫-切比雪夫綜合法
2.1.1 用單位圓說明實(shí)現(xiàn)低副瓣陣列的概念
2.1.2 切比雪夫多項(xiàng)式
2.1.3 陣因子多項(xiàng)式
2.1.4 切比雪夫陣列的設(shè)計(jì)
2.1.5 單元間距的改變對切比雪夫陣列方向圖的影響
2.1.6 切比雪夫陣列激勵(lì)幅度分布的通用綜合公式
2.1.7 副瓣電平對切比雪夫陣激勵(lì)幅度、錐削效率和方向圖的影響
2.1.8 切比雪夫陣列的波束寬度和方向性系數(shù)
2.1.9 利用切比雪夫函數(shù)的根來綜合陣列
2.2 功率方向圖和激勵(lì)系數(shù)
2.2.1 功率方向圖函數(shù)及其y多項(xiàng)式展開表示
2.2.2 由方向圖零點(diǎn)展開功率方向圖函數(shù)及陣列函數(shù)
2.2.3 用y多項(xiàng)式功率方向圖函數(shù)表示的方向性系數(shù)
2.2.4 實(shí)例及分析
2.2.5 用功率方向圖的y多項(xiàng)式綜合等副瓣陣列
2.2.6 綜合結(jié)果參數(shù)之間的幾個(gè)關(guān)系式
2.2.7 副瓣陣列
2.3 傅里葉變換法
2.3.1 連續(xù)線源的綜合
2.3.2 離散線陣的綜合
2.4 伍德沃德-勞森抽樣法
2.4.1 連續(xù)線源的綜合
2.4.2 離散線陣的綜合
2.5 泰勒綜合法
2.5.1 線源的等副瓣理想空間因子
2.5.2 泰勒空間因子
2.5.3 線源的泰勒分布
2.5.4 泰勒陣列方向圖的主瓣寬度和不出現(xiàn)柵瓣的最大間距
2.5.5 泰勒陣列的主要參數(shù)
2.5.6 泰勒綜合法的步驟
2.5.7 副瓣電平對泰勒陣列激勵(lì)幅度分布、錐削效率和方向圖的影響
2.5.8 單元間距的改變對泰勒陣列方向圖的影響
2.5.9 泰勒陣列的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則
2.5.10 泰勒綜合法設(shè)計(jì)實(shí)例
2.5.11 泰勒陣列和切比雪夫陣列的比較
2.6 變形泰勒方向圖的綜合
2.6.1 變形泰勒空間因子
2.6.2 能產(chǎn)生變形泰勒方向圖的連續(xù)線源電流分布
2.7 差方向圖的貝利斯綜合
2.7.1 貝利斯差方向圖函數(shù)
2.7.2 線源的貝利斯分布
2.7.3 線源貝利斯分布的離散
2.7.4 貝利斯陣列的陣因子
2.7.5 貝利斯陣列差方向圖的主瓣零點(diǎn)寬度及不出現(xiàn)柵瓣的最大間距
2.7.6 單元間距d的改變對貝利斯陣列方向圖的影響
2.7.7 不同副瓣電平的貝利斯陣列激勵(lì)幅度和方向圖
2.8 Villeneuve陣列綜合法
2.8.1 用方向圖零點(diǎn)表示切比雪夫陣列的陣因子
2.8.2 Villeneuve方向圖函數(shù)的構(gòu)造
2.8.3 離散直線陣奇數(shù)陣列的綜合公式
2.8.4 離散直線陣偶數(shù)陣列的綜合公式
2.8.5 采用Villeneuve陣列綜合實(shí)例
2.9 同時(shí)實(shí)現(xiàn)和、差方向圖的直線陣列
2.9.1 采用一種對稱激勵(lì)分布的單脈沖陣列
2.9.2 同時(shí)采用兩種激勵(lì)分布的單脈沖陣列

第3章 平面陣列的分析
3.1 平面陣列的基本形式
3.1.1 常規(guī)平面陣形式
3.1.2 非常規(guī)平面陣形式
3.2 矩形柵格矩形平面陣列的陣因子
3.2.1 平面陣坐標(biāo)及參數(shù)
3.2.2 陣因子方向圖函數(shù)
3.2.3 平面陣波束指向
3.3 帶反射板的對稱振子平面陣
3.3.1 對稱振子平面陣結(jié)構(gòu)及坐標(biāo)系
3.3.2 平面陣中第mn個(gè)單元及其鏡像的輻射場
3.3.3 平面陣的總輻射場
3.3.4 E面和H面方向圖函數(shù)
3.3.5 對稱振子均勻平面陣
3.4 平面陣的柵瓣及其抑制條件
3.4.1 復(fù)T平面
3.4.2 主瓣和柵瓣在復(fù)T平面中的位置關(guān)系
3.4.3 抑制柵瓣在實(shí)空間出現(xiàn)的條件
3.5 平面陣波束寬度和方向性系數(shù)
3.5.1 3dB輪廓線方程
3.5.2 半功率波瓣寬度
3.5.3 平面陣方向性系數(shù)D
3.6 平面陣的和、差方向圖
3.6.1 從左到右順序排列單元的情況
3.6.2 以陣列中心點(diǎn)為對稱排列單元的情況
3.7 可分離型矩形柵格矩形平面陣的分析與設(shè)計(jì)實(shí)例
3.7.1 平面陣的綜合設(shè)計(jì)
3.7.2 平面陣的三維方向圖繪制
3.7.3 幾個(gè)典型的可分離型矩形平面陣的分析
3.8 三角形柵格平面陣
3.8.1 三角形柵格矩形邊界平面陣的陣因子
3.8.2 三角形柵格矩形平面陣的柵瓣及抑制
3.8.3 三角形柵格矩形平面陣的分析
3.9 幾種典型邊界平面陣的分析
3.9.1 陣列天線普遍適用的分析表達(dá)式
3.9.2 適合于分析特定邊界平面陣的陣因子
3.9.3 圓形、橢圓形和八邊形邊界平面陣的分析實(shí)例
3.10圓環(huán)陣列的分析
3.10.1 圓環(huán)陣陣因子
3.10.2 圓環(huán)陣的方向性系數(shù)
3.10.3 考慮單元方向圖的圓環(huán)陣

第4章 平面陣列的綜合
4.1 各剖面均為等副瓣的切比雪夫平面陣綜合
4.1.1 陣因子
4.1.2 綜合方法
4.1.3 主瓣寬度和方向性系數(shù)
4.1.4 實(shí)例
4.2 圓口徑泰勒綜合
4.2.1 圓口徑泰勒空間因子
4.2.2 圓口徑泰勒分布
4.2.3 圓口徑泰勒分布的口徑效率v
4.2.4 圓口徑泰勒平面陣
4.3 橢圓口徑泰勒綜合
4.3.1 把橢圓轉(zhuǎn)化為圓的坐標(biāo)變換
4.3.2 橢圓口徑綜合實(shí)例
4.4 圓口徑貝利斯綜合
4.4.1 圓口徑貝利斯空間因子
4.4.2 圓口徑貝利斯分布
4.4.3 圓口徑貝利斯平面陣
4.5 圓口徑平面陣列和、差方向圖的同時(shí)實(shí)現(xiàn)

第5章 陣列天線的優(yōu)化綜合
5.1 直線陣方向性系數(shù)的最優(yōu)化
5.1.1 直線陣方向圖函數(shù)的矩陣表示
5.1.2 方向性系數(shù)D的矩陣表示
5.1.3 方向性系數(shù)D的最優(yōu)化方法
5.1.4 直線側(cè)射陣方向性系數(shù)的最優(yōu)化
5.1.5 直線端射陣方向性系數(shù)的最優(yōu)化
5.2 圓環(huán)陣方向性系數(shù)的最優(yōu)化
5.2.1 圓環(huán)陣側(cè)射方向性系數(shù)的最優(yōu)化
5.2.2 圓環(huán)陣端射方向性系數(shù)的最優(yōu)化
5.2.3 短偶極子為圓環(huán)陣單元的方向性系數(shù)的最優(yōu)化
5.3 賦形方向圖的優(yōu)化綜合――變尺度算法
5.3.1 賦形波束的優(yōu)化綜合原理
5.3.2 賦形波束的優(yōu)化綜合實(shí)例
5.4 賦形方向圖的優(yōu)化綜合――Orchard-Elliott法
5.4.1 用復(fù)根表示的直線陣陣因子功率方向圖函數(shù)
5.4.2 綜合方法理論
5.4.3 用多項(xiàng)式函數(shù)展開來表示期望的賦形波束函數(shù)F0（u）
5.4.4 方法的改進(jìn)
5.4.5 實(shí)例
5.4.6 賦形方向圖的變尺算法與Orchard-Elliott方法的比較

第6章 相控陣天線原理
6.1 相控陣掃描原理
6.1.1 一維相控掃描陣列
6.1.2 二維相控掃描陣列
6.2 陣列天線單元互耦及分析方法
6.2.1 阻抗法
6.2.2 散射法
6.2.3 有源單元方向圖
6.2.4 小陣分析法
6.3 相控陣的輻射單元
6.3.1 電流（線）天線單元
6.3.2 口徑天線單元
6.3.3 微帶貼片天線單元
6.4 相控陣的饋電方式
6.4.1 強(qiáng)制饋電方式
6.4.2 空間饋電方式
6.5 相控陣天線近場測量
6.5.1 平面近場測試系統(tǒng)簡介
6.5.2 近場測量精度
6.5.3 相控陣天線近場測量方法

第7章 密度加權(quán)稀疏陣列
7.1 密度加權(quán)陣列特點(diǎn)
7.2 獨(dú)立采樣概率密度稀疏法
7.3 相關(guān)采樣概率密度稀疏法
7.4 多階密度加權(quán)法
7.4.1 幅度量化方法一
7.4.2 幅度量化方法二
7.5 密度加權(quán)陣性能數(shù)值模擬分析

第8章 大間距陣列柵瓣抑制
8.1 概述
8.2 大間距陣列采用的高效單元
8.2.1 孤立的單元天線
8.2.2 小陣中的單元天線
8.3 子陣級非周期結(jié)構(gòu)陣列的分析模型
8.3.1 陣列中某個(gè)單元的遠(yuǎn)區(qū)輻射場
8.3.2 陣列總輻射場
8.3.3 子陣級周期結(jié)構(gòu)矩形陣的分析
8.4 子陣級非周期結(jié)構(gòu)陣列柵瓣抑制的隨機(jī)分布法
8.5 子陣級非周期結(jié)構(gòu)陣列柵瓣抑制的優(yōu)化方法
8.6 子陣級非周期結(jié)構(gòu)八角陣列的柵瓣抑制
8.7 子陣級旋轉(zhuǎn)變形八角陣
8.7.1 旋轉(zhuǎn)角度的確定
8.7.2 子陣級隨機(jī)旋轉(zhuǎn)角度的非周期結(jié)構(gòu)八角陣
8.7.3 子陣級定角度旋轉(zhuǎn)的非周期結(jié)構(gòu)八角陣
8.8 環(huán)柵陣的分析
8.8.1 典型的弧形環(huán)柵陣
8.8.2 子陣為梯形的環(huán)柵陣
8.9 結(jié)論

第9章 陣列天線的工程設(shè)計(jì)
9.1 詢問機(jī)天線設(shè)計(jì)
9.1.1 某詢問機(jī)天線的技術(shù)指標(biāo)
9.1.2 陣列的理論分析與綜合
9.1.3 陣列單元的選擇與仿真設(shè)計(jì)
9.1.4 和差饋電網(wǎng)絡(luò)的仿真設(shè)計(jì)
9.1.5 單元天線陣與和差饋電網(wǎng)絡(luò)的整體仿真及天線實(shí)物實(shí)測結(jié)果
9.2 矩形波導(dǎo)窄邊縫隙行波線陣天線設(shè)計(jì)
9.2.1 某X波段窄邊縫隙行波線陣天線的技術(shù)指標(biāo)
9.2.2 陣列設(shè)計(jì)
9.2.3 矩形波導(dǎo)窄邊縫隙陣的交叉極化及其抑制
9.2.4 縫隙等效并聯(lián)電導(dǎo)與其激勵(lì)幅度的關(guān)系
9.2.5 輸入駐波及其與單元間距的關(guān)系
9.2.6 矩形波導(dǎo)窄邊縫隙陣各單元傾角及切割深度
9.2.7 矩形波導(dǎo)窄邊縫隙陣天線建模仿真及實(shí)物測試結(jié)果
9.3 賦形波束陣列天線設(shè)計(jì)
9.3.1 方位臺平面陣的技術(shù)指標(biāo)
9.3.2 平面陣的分析與設(shè)計(jì)
參考文獻(xiàn)