寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件及其應(yīng)用簡介，目錄書摘
2020-04-13 15:51
來源：京東
作者：京東
寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件及其應(yīng)用
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內(nèi)容簡介: 《寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件及其應(yīng)用》介紹碳化硅、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的原理、特性、設(shè)計制造方法及應(yīng)用，概括了這一新領(lǐng)域十余年來的主要成就。內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，電力電子器件的基本原理、特性及典型器件，電力電子器件的材料優(yōu)選，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率集成電路中的高壓器件、氮化鎵功率器件、金剛石器件、寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊，以及寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件在開關(guān)電源功率因數(shù)校正器和各種電力變換器中的典型應(yīng)用等。
目錄:電力電子新技術(shù)系列圖書序言
前言
第1章 緒論
1.1 電力電子器件概述
1.1.1 電力電子器件的基本構(gòu)成
1.1.2 電力電子器件的分類及特點
1.2 發(fā)展沿革與趨勢
參考文獻(xiàn)
第2章 電力電子器件基礎(chǔ)
2.1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
2.1.1 半導(dǎo)體與金屬中的載流子
2.1.2 電子在金屬和半導(dǎo)體中的能量分布與躍遷
2.1.3 半導(dǎo)體的熱敏感性
2.2 電力電子器件的基本原理與特性
2.2.1 整流原理與阻斷特性
2.2.2 開關(guān)原理與頻率特性
2.2.3 電導(dǎo)調(diào)制原理與通態(tài)特性
2.2.4 功率損耗原理與高溫特性
2.3 典型電力電子器件及其特性
2.3.1 二極管
2.3.2 雙極型晶體管（BJT）
2.3.3 場效應(yīng)晶體管（FET）
2.3.4 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2.3.5 其他電力電子器件
參考文獻(xiàn)
第3章 電力電子器件的材料優(yōu)選
3.1 單極型器件的材料優(yōu)選
3.1.1 低頻器件
3.1.2 高頻器件
3.1.3 場效應(yīng)器件的最高工作頻率
3.2 雙極型器件的材料優(yōu)選
3.2.1 Johnson因子
3.2.2 Keyes因子
3.3 耐高溫器件的材料優(yōu)選
3.3.1 熱優(yōu)選因子
3.3.2 不同材料器件高溫特性的比較
3.4 電力電子器件的優(yōu)選材料．
3.4.1 碳化硅
3.4.2 氮化鎵及其固溶體
3.4.3 半導(dǎo)體金剛石
參考文獻(xiàn)
第4章 寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件
4.1 碳化硅單極型器件
4.1.1 肖特基勢壘二極管
4.1.2 功率MOSFET
4.1.3 JFET和SIT
4.1.4 MESFET
4.2 碳化硅雙極型器件
4.2.1 pn結(jié)二極管
4.2.2 雙極型晶體管（BJT）
4.2.3 晶閘管和GTO晶閘管
4.2.4 碳化硅GCT （SICGT）
4.3 碳化硅IGBT
4.4 碳化硅功率集成電路中的高壓器件結(jié)構(gòu)
4.5其他寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件
4.5.1 氮化鎵大功率微波器件
4.5.2 其他氮化鎵電力電子器件
4.5.3 金剛石電力電子器件
4.6 寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊
參考文獻(xiàn)
第5章 寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的應(yīng)用
5.1 在開關(guān)電源功率因數(shù)校正器上的典型應(yīng)用
5.1.1 開關(guān)電源功率因數(shù)校正器的基本工作原理
5.1.2 二極管的反向恢復(fù)特性及其影響分析
5.1.3 SiC肖特基二極管在開關(guān)源PFC中的應(yīng)用效果
5.2 在DC/DC變換器中的典型應(yīng)用
5.2.1 DC/DC變換器的基礎(chǔ)知識
5.2.2 寬禁帶半導(dǎo)體器件在DC/DC變換器中的應(yīng)用實例
5.3 在AC/DC變換器中的典型應(yīng)用
5.4 在DC/AC變換中的典型應(yīng)用
5.4.1 DC/AC變換及目前存在的一些問題
5.4.2 寬禁帶半導(dǎo)體器件在DC/AC變換中的應(yīng)用實例
參考文獻(xiàn)
前言
第1章 緒論
1.1 電力電子器件概述
1.1.1 電力電子器件的基本構(gòu)成
1.1.2 電力電子器件的分類及特點
1.2 發(fā)展沿革與趨勢
參考文獻(xiàn)
第2章 電力電子器件基礎(chǔ)
2.1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
2.1.1 半導(dǎo)體與金屬中的載流子
2.1.2 電子在金屬和半導(dǎo)體中的能量分布與躍遷
2.1.3 半導(dǎo)體的熱敏感性
2.2 電力電子器件的基本原理與特性
2.2.1 整流原理與阻斷特性
2.2.2 開關(guān)原理與頻率特性
2.2.3 電導(dǎo)調(diào)制原理與通態(tài)特性
2.2.4 功率損耗原理與高溫特性
2.3 典型電力電子器件及其特性
2.3.1 二極管
2.3.2 雙極型晶體管（BJT）
2.3.3 場效應(yīng)晶體管（FET）
2.3.4 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2.3.5 其他電力電子器件
參考文獻(xiàn)
第3章 電力電子器件的材料優(yōu)選
3.1 單極型器件的材料優(yōu)選
3.1.1 低頻器件
3.1.2 高頻器件
3.1.3 場效應(yīng)器件的最高工作頻率
3.2 雙極型器件的材料優(yōu)選
3.2.1 Johnson因子
3.2.2 Keyes因子
3.3 耐高溫器件的材料優(yōu)選
3.3.1 熱優(yōu)選因子
3.3.2 不同材料器件高溫特性的比較
3.4 電力電子器件的優(yōu)選材料．
3.4.1 碳化硅
3.4.2 氮化鎵及其固溶體
3.4.3 半導(dǎo)體金剛石
參考文獻(xiàn)
第4章 寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件
4.1 碳化硅單極型器件
4.1.1 肖特基勢壘二極管
4.1.2 功率MOSFET
4.1.3 JFET和SIT
4.1.4 MESFET
4.2 碳化硅雙極型器件
4.2.1 pn結(jié)二極管
4.2.2 雙極型晶體管（BJT）
4.2.3 晶閘管和GTO晶閘管
4.2.4 碳化硅GCT （SICGT）
4.3 碳化硅IGBT
4.4 碳化硅功率集成電路中的高壓器件結(jié)構(gòu)
4.5其他寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件
4.5.1 氮化鎵大功率微波器件
4.5.2 其他氮化鎵電力電子器件
4.5.3 金剛石電力電子器件
4.6 寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊
參考文獻(xiàn)
第5章 寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的應(yīng)用
5.1 在開關(guān)電源功率因數(shù)校正器上的典型應(yīng)用
5.1.1 開關(guān)電源功率因數(shù)校正器的基本工作原理
5.1.2 二極管的反向恢復(fù)特性及其影響分析
5.1.3 SiC肖特基二極管在開關(guān)源PFC中的應(yīng)用效果
5.2 在DC/DC變換器中的典型應(yīng)用
5.2.1 DC/DC變換器的基礎(chǔ)知識
5.2.2 寬禁帶半導(dǎo)體器件在DC/DC變換器中的應(yīng)用實例
5.3 在AC/DC變換器中的典型應(yīng)用
5.4 在DC/AC變換中的典型應(yīng)用
5.4.1 DC/AC變換及目前存在的一些問題
5.4.2 寬禁帶半導(dǎo)體器件在DC/AC變換中的應(yīng)用實例
參考文獻(xiàn)
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